三安光电绿光激光器材料生长技术
2015-9-24 8:53:43 点击：
2015年9月17日，科技部第三代项目管理办公室组织技术专家和财务专家对厦门市三安光电科技有限公司承担的863计划“绿光激光器用高铟组分氮化镓基外延材料生长技术”课题进行了中期现场检查，该课题为新材料领域“第三代半导体材料”重点专项于2014年首批启动课题，专项经费460万元。
课题实施以来，课题组在Si衬底上半极性面GaN外延、蓝宝石衬底上绿光量子阱外延、高空穴浓度GaN p型层、激光器绿光谐振腔制作等方面取得了一系列的进展，主要成果包括：半极性面GaN外延层位错密度达到106 cm-2量级，蓝宝石衬底上GaN外延层XRD半高宽(002)小于240 arcsec、(102)小于280 arcsec，GaN外延单层空穴浓度达到3.4x1017 cm-3，并获得了平整的激光器腔面。
专家组认为该课题总体进展良好，基本按照节点任务要求完成了阶段性研究目标，以上成果的取得也为最终完成课题目标奠定了基础。
三安光电在市场大环境下表现得非常活跃，技术和人才的积累，使之成为LED光电行业的领军者，带动了整个行业高速发展，实现了真正绿色环保节能的可持续发展的理念。兆威电容厂也在大力开发新的产品，具有超小体积，超低阻抗，超长寿命的高品质电解电容器，才能适应时代的前进步伐。
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